发明名称 Verfahren zum maskenlosen Belichten mit Teilchenstrahlen
摘要 Zum maskenlosen Bestrahlen eines Target (40) mit einem Strahl energiereicher, elektrisch geladener Teilchen mittels eines Musterdefinitionsmittels mit einer Vielzahl von Aperturen und Abbilden der Aperturen im Musterdefinitionsmittel auf ein Target, das sich relativ zum Musterdefinitionsmittel lateral zur Achse bewegt (v), wird der Ort des Bildes mit dem Target während einer Pixelbelichtungszeit mitbewegt, in der eine Strecke der Relativbewegung des Target zurückgelegt wird, die zumindest ein Vielfaches der Breite der Aperturenbilder (w) gemessen und auf dem Target ist, und nach dieser Pixelbelichtungszeit wird der Ort des Bildes geändert, wobei diese Ortsänderung die Gesamtbewegung des Ortes des Bildes im Wesentlichen kompensiert.
申请公布号 DE102008015305(A1) 申请公布日期 2008.10.02
申请号 DE200810015305 申请日期 2008.03.20
申请人 IMS NANOFABRICATION AG 发明人 FRAGNER, HEINRICH;PLATZGUMMER, ELMAR
分类号 H01J37/30;G03F7/20 主分类号 H01J37/30
代理机构 代理人
主权项
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