| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供即便是随着精细化的发展栅极长度的变化进一步增大的情况下，能够实现安定搭载了高驱动力MISFET的高性能装置的全硅化物化(FUSI)技术。本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其中相对于具有第一栅极长度(相对短的栅极长度)的第一栅电极(105A)全硅化物化(FUSI)而言，具有第二栅极长度(相对长的栅极长度)的第二栅电极(105B)没有全硅化物化(FUSI)。 | ||
| 申请公布号 | CN101266977A | 申请公布日期 | 2008.09.17 |
| 申请号 | CN200810003170.X | 申请日期 | 2008.01.15 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 平濑顺司 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L27/088(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于：包括：第一栅电极，隔着第一栅极绝缘膜形成在衬底的第一活性区域上，第二栅电极，隔着第二栅极绝缘膜形成在上述衬底的第二活性区域上；上述第一栅电极的栅极长度比上述第二栅电极的栅极长度短，上述第一栅电极全硅化物化了，上述第二栅电极中至少与上述第二栅极绝缘膜接触的部分没有硅化。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||