具有多部分的保护环的肖特基二极体结构及制备方法

摘要

在一个实施方案中，半导体结构包括多部分的保护环，多部分的保护环包括在半导体材料区形成的第一部分和第二部分。传导接触层与半导体材料区形成第一肖特基能障。传导接触层叠盖第二部分并形成与第一肖特基能障的极性相反的第二肖特基能障。传导接触层不叠盖第一部分，其与半导体材料区形成pn接面。