| 摘要 |
一种供给充电电流给充电对象元件(C)之半导体装置，半导体装置系包括：第1导电型的半导体层(1)；第2导电型的第1半导体区域(2)，具有被结合至充电对象元件(C)的第1电极的第1节点(N1)及被结合至供给电源电压的电源电位节点(NL1)的第2节点(N2)，且被形成于半导体层(1)的主表面上；第1导电型的第2半导体区域(3)，具有被结合至电源电位节点(NL1)的第3节点(N3)，且在第1半导体区域(2)的表面中与半导体层(1)具有间隔而被形成；及电荷载子移动限制部，限制从第3节点(N3)至半导体层(1)的电荷载子移动。 |
