| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle aus kristallinem Silizium sowie eine nach diesem Verfahren hergestellte Solarzelle aus kristallinem Silizium. Bei dem Verfahren wird durch gleichzeitiges Einbringen einer p- (3) und n-leitenden (4) Dotierschicht eine elektrische Isolation benachbarter p+n+-Übergänge erzeugt. Bei der Solarzelle sind verschachtelte Kontaktfinger durch Aneinanderstossen unterschiedlicher Dotierregionen voneinander elektrisch isoliert.</p> |
