一种高强度、低热膨胀的A1N纳米线和A1复合材料

摘要

一种高强度、低热膨胀的AlN纳米线和Al复合材料，在纯度大于95％的AlN纳米线的基础上，采用过Al熔点热压的办法制备出高致密度AlN纳米线/Al复合材料，采用H₂电弧法制备出平均粒径为80－120nm的Al纳米颗粒；采用Al，AlCl₃，Al₂O₃和NH₃为反应物，通过气相CVD法在石英基板上沉积出克量级的AlN纳米纤维，其为纯度高于95％的单晶AlN纳米线，直径分布在10－50nm之间，将体积组分为0～15％的AlN纳米线和Al纳米颗粒混合均匀，干燥后的混合粉热压成块体。AlN纳米线在基体中分散均匀，界面结合良好，AlN纳米线是一种优化金属基电子复合材料力性和热物性的理想增强剂，AlN纳米线和Al复合材料有望发展成为一种高强度、低热膨胀的新型电子封装材料。

主权项

1. 一种高强度、低热膨胀的AlN纳米线和Al复合材料，其特征在于：所述的高强度、低热膨胀的AlN纳米线和Al复合材料，在纯度大于95％的AlN纳米线的基础上，采用过Al熔点热压的办法制备高致密度AlN纳米线/Al复合材料；采用H2电弧法制备出平均粒径为80-120nm的Al纳米颗粒；采用Al，AlCl3，Al2O3和NH3为反应物，通过气相CVD法在石英基板上沉积出克量级的AlN纳米纤维，其为纯度高于95％的单晶AlN纳米线，直径分布在10-50nm之间，将体积组分为0～15％的AlN纳米线和Al纳米颗粒混合均匀，干燥后的混合粉热压成块体。