| 发明名称 | 改善半导体单晶硅研磨硅片平行度的方法及其装置 | ||
| 摘要 | 本发明属于一种改善半导体单晶硅研磨硅片平行度的方法及其装置，本发明针对现有技术被磨硅片因磨盘直径因素引起的线速度变化，使被磨硅片外圆部分比中心部分磨去较多，导致被磨硅片中间厚而边缘薄的塌边现象，采用在研磨过程中，自始至终使被磨硅片的中部落在磨盘区域内作公转和自转运动，而使被磨硅片的边缘侧间隙式落在磨盘区域外作公转和自转运动的技术方案，改善半导体单晶硅研磨硅片的平行度，达到了所磨硅片外圆部分和中心部分厚薄一致、平行度好的目的，利用该方法磨研硅片不但可以大大减少磨盘的修磨次数，还可以有效确保被磨硅片的平行度指标达到所需要求。 | ||
| 申请公布号 | CN101249634A | 申请公布日期 | 2008.08.27 |
| 申请号 | CN200810060274.4 | 申请日期 | 2008.04.02 |
| 申请人 | 万向硅峰电子股份有限公司 | 发明人 | 徐永忠;汪贵发;楼春兰;郑辉;赖建华 |
| 分类号 | B24B29/00(2006.01);B24B7/22(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | B24B29/00(2006.01) |
| 代理机构 | 杭州裕阳专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 应圣义 |
| 主权项 | 1、一种改善半导体单晶硅研磨硅片平行度的方法，其特征是：在研磨过程中，自始至终使被磨硅片的中部落在磨盘区域内作公转和自转运动，而使被磨硅片的边缘侧间隙式落在磨盘区域内作公转和自转运动。 | ||
| 地址 | 324300浙江省开化县芹南路27号 | ||