发明名称 |
半导体积体电路装置之制造方法及用于其之薄膜探针片材之制造方法 |
摘要 |
本发明于使用具有藉由半导体积体电路装置之制造技术而形成之探针(probe)之探测器(薄膜探针)之探针检测时,防止探测器及检测对象之晶圆破损。于晶圆31之主面上,于形成有金属膜21A之区域(包括孔33)及组装探卡时,在比接合环更外侧之区域选择性地沉积铜膜37之后,形成金属膜21A、聚醯亚胺膜22、布线23、聚醯亚胺膜25、布线27及聚醯亚胺膜28等。其后,藉由除去晶圆31及铜膜37,而获得可充分确保高度之探针7。 |
申请公布号 |
TW200834087 |
申请公布日期 |
2008.08.16 |
申请号 |
TW096138525 |
申请日期 |
2007.10.15 |
申请人 |
瑞萨科技股份有限公司 |
发明人 |
长谷部昭男;本山康博;成塚康则;中村清吾;河上贤司 |
分类号 |
G01R1/073(2006.01);H01L21/66(2006.01) |
主分类号 |
G01R1/073(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
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地址 |
日本 |