使用半导体制程制造压印模板的方法及所制得的压印模板

摘要

依据本发明的使用半导体制程制造压印模板的方法，包括以微影及蚀刻方法将一基板上具有厚度在1000埃至8000埃的氧化物层蚀刻，以形成一具有复数个柱状凹洞的图形，而形成一具有复数个柱状凹洞的压印模板。可进一步于柱状凹洞中填入材料层，及移除部分的氧化物层，以形成一具有复数个柱状突出物的压印模板。或可仅以一矽基板取代基板及基板上的氧化物层。依据本发明的压印模板具有可大量制造、制造快速、及成本低的优点，并且适合用以制造光子晶体制造用的压印模板。