内埋晶片基板结构及其制造方法

摘要

本发明揭示一种内埋主动晶片基板构造与其制造方法，该内埋主动晶片基板构造包含一基板、一介电层、一半导体晶片及一黏着层。该基板具有一第一电路层、一第二电路层及一垂直导通层，该垂直导通层用以在垂直方向电性连接该第一电路层与第二电路层之相应电路。该介电层系形成于该第一电路层与第二电路层之间。该半导体晶片位于该第一电路层与第二电路层之间，其具有一上表面及一下表面，该半导体晶片之上表面具有复数个电性接点用以连接该第一电路层之相应电路。该黏着层将该半导体晶片黏着于该第二电路层上，以增加散热效果。