| 发明名称 | 薄膜制造的改良方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造包含均匀分散的碳纳米管的薄膜的方法，该方法包括以下步骤：改性分子半导体以使其可溶；改性该分子半导体以促进形成高度的分子有序性及在邻近分子之间的前沿轨道重叠；改性碳纳米管以使其可溶；将该可溶的碳纳米管与该可溶的分子半导体在溶剂中结合而形成溶液；由该溶液制造所述薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101243560A | 申请公布日期 | 2008.08.13 |
| 申请号 | CN200680030206.2 | 申请日期 | 2006.07.07 |
| 申请人 | 萨里大学 | 发明人 | 罗斯·安德鲁·哈顿;森布提拉切莱格·拉维·希尔瓦 |
| 分类号 | H01L51/30(2006.01);C01B31/02(2006.01) | 主分类号 | H01L51/30(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁香兰;谢栒 |
| 主权项 | 1.一种制造包含均匀分散的碳纳米管的薄膜的方法，该方法包括以下步骤：改性分子半导体以使其可溶；改性该分子半导体以促进形成高度的分子有序性及邻近分子之间的前沿轨道重叠；改性碳纳米管以使其可溶；将所述的可溶碳纳米管与所述的可溶分子半导体在溶剂中结合而形成溶液；由该溶液制造所述薄膜。 | ||
| 地址 | 英国萨里郡 | ||