| 发明名称 | 晶片切割方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种晶片切割方法，应用于双片晶片接合的封装结构，该晶片切割方法包括：提供第一晶片，具有上表面及下表面；择定第一预设距离，并以该第一预设距离利用刀具去除该第一晶片的第一斜面；提供第二晶片，第二晶片具有有源面及背面；覆盖且接合第一晶片于第二晶片之上，使第二晶片上的多个对位点显露于外；以及通过第二晶片上外露的对位点，做为对位以利用刀具分别切割第一晶片及第二晶片，以形成系统级封装构造。 | ||
| 申请公布号 | CN101226887A | 申请公布日期 | 2008.07.23 |
| 申请号 | CN200810074318.9 | 申请日期 | 2008.02.15 |
| 申请人 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 陈建宇 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01);H01L21/78(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | H01L21/50(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种晶片切割方法，应用于双片晶片接合的封装结构，包括：提供第一晶片，该第一晶片具有上表面及下表面；择定第一预设距离；以该第一预设距离利用刀具去除该第一晶片的第一斜面，以形成第一斜边；提供第二晶片，该第二晶片具有有源面及背面，其中，有源面上具有至少一对位点、多个管芯以及多条切割线，该切割线是由多条第一方向切割线与多条第二方向切割线交错排列而成；覆盖且接合该第一晶片于该第二晶片之上，使该第二晶片上的该对位点显露于外；以及通过该第二晶片上外露的该对位点，辅助对位并依据一预定距离以利用刀具分别切割该第一晶片及该第二晶片，以形成系统级封装构造。 | ||
| 地址 | 中国台湾高雄市 | ||