| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 根据本发明的半导体器件包括：具有预定功能的第一半导体集成电路(11)，该第一半导体集成电路输出所需的输出信号；第二半导体集成电路(12)，其中提供有多个用于根据具有不同定时的多个栅极信号独立地来回转换导通状态和非导通状态的MOS元件(PMOS晶体管或NMOS晶体管)，并且该多个MOS元件并联连接到该第一半导体集成电路的输出或输入；脉冲产生电路(13)，用于产生和输出多个栅极信号φi(i＝1，2，3)，每个栅极信号具有关于该第二半导体集成电路中的多个MOS元件的不同定时。 | ||
| 申请公布号 | CN100405597C | 申请公布日期 | 2008.07.23 |
| 申请号 | CN200510089129.5 | 申请日期 | 2005.08.02 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 炭田昌哉 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人 | 罗正云;宋志强 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：具有预定功能的第一半导体集成电路，该第一半导体集成电路输出所需的输出信号；和第二半导体集成电路，其中提供有根据具有不同定时的多个栅极信号独立地在导通状态和非导通状态之间转换的多个MOS元件，所述多个MOS元件并联连接到该第一半导体集成电路的输出或输入。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||