| 发明名称 | 一种减小Cu<SUB>x</SUB>O电阻存储器写操作电流的方法 | ||
| 摘要 | 本发明属微电子技术领域，具体是一种减小Cu<SUB>x</SUB>O电阻存储器写操作电流的方法。在生长Cu<SUB>x</SUB>O存储介质前，沉积一薄层Ta或Al层(0.5nm～20nm)于Cu基体之上，然后进行等离子体氧化或热氧化，形成TaO/Cu<SUB>x</SUB>O或AlO/Cu<SUB>x</SUB>O复合结构，其中Cu<SUB>x</SUB>O充当存储介质，TaO或AlO层等效于串联电阻，可以提高存储器低阻态阻值，降低写操作电流。在Cu基体上覆盖Ta或Al薄层后，在氧化过程中会阻挡过量氧等离子体或氧气与铜接触，避免不具有存储特性的CuO生成。另外，在Cu<SUB>x</SUB>O层上覆盖一惰性介质层，可扩大上电极材料的选择范围，消除活泼电极材料跟Cu<SUB>x</SUB>O材料的反应，提高器件稳定性。本发明工艺简便，成本低，可显著提高Cu<SUB>x</SUB>O性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101226988A | 申请公布日期 | 2008.07.23 |
| 申请号 | CN200810032765.8 | 申请日期 | 2008.01.17 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 林殷茵;陈邦明;吕杭炳 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);G11C11/56(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 1.一种减小CuxO电阻存储器写操作电流的方法，其特征在于：在生长CuxO存储介质前，沉积一层厚度为0.5nm～20nm的Ta或Al于Cu基体之上，然后进行等离子体氧化或热氧化，形成TaO/CuxO或AlO/CuxO复合结构，其中CuxO充当存储介质，TaO或AlO层等效于串联电阻，这里，1＜x≤2。 | ||
| 地址 | 200433上海市邯郸路220号 | ||