| 发明名称 | 具有CrTiAl前籽晶层的磁性薄膜介质 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有CrTiAl前籽晶层的磁性薄膜介质结构。该CrTiAl前籽晶层是非晶或者纳米晶结构。该CrTiAl前籽晶层提高了平面c轴取向，同时保持良好的取向率。脉冲转变宽度(PW50)变窄，软错误率得以改善。优选的籽晶层是RuAl。一种用于磁记录的薄膜磁盘包括：具有非晶结构的CrTiAl前籽晶层，在所述前籽晶层之上的至少一层籽晶层；在所述籽晶层之上的至少一层底层；以及在所述底层之上的至少一层磁性层。 | ||
| 申请公布号 | CN100405466C | 申请公布日期 | 2008.07.23 |
| 申请号 | CN200410060082.5 | 申请日期 | 2004.06.25 |
| 申请人 | 日立环球储存科技荷兰有限公司 | 发明人 | 卞晓平;玛丽·F.·朵尔纳;唐凯;肖启凡 |
| 分类号 | G11B5/66(2006.01);G11B5/84(2006.01) | 主分类号 | G11B5/66(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种用于磁记录的薄膜磁盘，包括：具有非晶结构的CrTiAl前籽晶层，在所述前籽晶层之上的至少一层籽晶层；在所述籽晶层之上的至少一层底层；以及在所述底层之上的至少一层磁性层。 | ||
| 地址 | 荷兰阿姆斯特丹 | ||