发明名称 阵列基板与薄膜晶体管阵列面板的制造方法
摘要 本发明涉及一种阵列基板的制造方法,包括下列步骤:形成一第一金属层于一基板上;施行一第一光刻工艺以图案化该第一金属层,形成一栅极导线、连结于该栅极导线的一栅电极以及一接垫于该基板上;形成一绝缘层、一半导体层以及一欧姆接触层于该基板上,覆盖于该栅极导线、该栅电极以及该接垫;以及施行一第二光刻工艺以图案化该欧姆接触层、该半导体层以及部分的该绝缘层,于该基板上形成一半导体结构以及于该接垫上的该绝缘层内形成一介层洞,以露出部分的该接垫,其中该半导体结构包括大体覆盖于该栅电极上的该绝缘层、图案化的该半导体层以及图案化的该欧姆接触层。
申请公布号 CN100399134C 申请公布日期 2008.07.02
申请号 CN200510066934.6 申请日期 2005.04.22
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 廖达文
分类号 G02F1/1333(2006.01) 主分类号 G02F1/1333(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波;侯宇
主权项 1.一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法,包括下列步骤:形成一第一金属层于一基板上;施行一第一光刻工艺以图案化该第一金属层,于该基板上形成沿第一方向连续地延伸至少一栅极导线,以及沿一第二方向延伸的多个数据导线片段,其中该第一方向异于该第二方向且该些数据导线片段与该些栅极导线于交汇处为互相分隔;形成一绝缘层、一半导体层以及一欧姆接触层于该基板上;施行一第二光刻工艺以图案化该欧姆接触层、该半导体层以及该绝缘层,形成多个半导体结构以及多个堆栈结构,该些堆栈结构横跨该些数据导线片段与该些栅极导线于交汇处;形成一第二金属层于该基板上;施行一第三光刻工艺以图案化该第二导电金属层,于该些半导体结构上形成多个源极/漏极电极以及形成延伸于该些堆栈结构上且电连接该些数据导线片段的多条连续数据导线;形成一保护层于该基板上;施行一第四光刻工艺以图案化该保护层,形成多个介层洞并露出了该些数据导线与该些栅极导线的多个接垫以及该些源极/漏极电极之一;以及形成一透明导电层于该基板上,并填入于该些介层洞;施行一第五光刻工艺以图案化该透明导电层,形成多个像素电极以及储存电容器,其中该些储存电容器部分重叠于该些栅极导线上。
地址 台湾省新竹市