制作邻接接触体之半导体制程与具有邻接接触体之半导体装置

摘要

本发明提出一种制作邻接接触体之半导体制程,包含以下步骤:提供一基体,此基体上具有至少两个邻接之电晶体闸极;对该两电晶体闸极间的区域,全面进行斜角度离子植入,形成第一传导型之淡掺杂区;在该两电晶体闸极间的区域,形成第一传导型和第二传导型之浓掺杂区,并以第二传导型之浓掺杂区盖过部分第一传导型之淡掺杂区,且以第二传导型之浓掺杂区将第一传导型之浓掺杂区分隔;沉积介电层;以及在该介电层中形成至少一个邻接接触体,此邻接接触体同时接触受分隔之第一传导型之浓掺杂区。