发明名称 半导体装置、半导体积体电路、及凸块电阻测定方法
摘要 本发明系容易、高精度且低成本地测定连接晶片间之内凸块之连接电阻。本发明包含:主晶片2、藉主凸块(Ba,Bb,…)与测定、控制输入凸块(B1~B4)和主晶片2连接之子晶片3,于上述2个晶片分别具有各主凸块之复数电压路径开关(T12a,T12b,…或T13a,T13b,…)、连接于主凸块与测定路径开关之各连接点(Na2,Nb2,…或Na3,Nb3,…)之复数电流路径开关(T22a,T22b,…或T23a,T23b,…)及控制电路(移位暂存器42或43),主晶片2进一步包含控制输入、恒定电流供应及电压测定用之复数测定、控制端子(Ta~Tf)。
申请公布号 TW200828479 申请公布日期 2008.07.01
申请号 TW096130596 申请日期 2007.08.17
申请人 新力股份有限公司 发明人 清水目和年;山田隆章
分类号 H01L21/66(2006.01);G01R31/28(2006.01) 主分类号 H01L21/66(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本