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发明名称
高分子太阳能电池及其制造方法
摘要
本发明高分子太阳能电池及其制造方法,该电池包括一基板;一第一电极位于基板上;一导电高分子层,其系位于该第一电极上,导电高分子层包括一导电高分子及一添加物;一半导体层位于导电高分子层上及一第二电极位于半导体层上。该制造方法步骤包括一第一电极成长于一基板上;混合一添加物和一导电高分子,形成一混合物;将混合物沉积于第一电极上,形成一导电高分子层;一半导体层沉积在导电高分子层上及一第二电极蒸镀在半导体层上。本发明加入添加物至导电高分子中,降低导电高分子层的阻値及提升电池之效率。
申请公布号
TW200828604
申请公布日期
2008.07.01
申请号
TW095149006
申请日期
2006.12.26
申请人
国立交通大学
发明人
陈方中;朱治伟;葛祖荣;林义凯
分类号
H01L31/042(2006.01);H01L51/46(2006.01);C08G61/00(2006.01)
主分类号
H01L31/042(2006.01)
代理机构
代理人
蔡秀玫
主权项
地址
新竹市东区大学路1001号
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