| 发明名称 | 纳米尺度沟道晶体管的块接触结构 | ||
| 摘要 | 一种纳米尺度沟道器件的接触体系结构，具有耦合并延伸在具有多个并行半导体本体的源区和漏区之间的接触结构。所述接触结构能够接触具有亚光刻间距的并行半导体本体。 | ||
| 申请公布号 | CN101208805A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200680023301.X | 申请日期 | 2006.06.29 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | M·拉多萨夫耶维克;A·马祖姆达;B·S·多伊尔;J·卡瓦利罗斯;M·L·多茨;J·K·布拉斯克;U·沙;S·达塔;R·S·曹 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L29/417(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 曾祥夌;陈景峻 |
| 主权项 | 1.一种器件，包括：多个并行半导体本体，所述多个并行半导体本体的每一个具有上表面和一对横向相反的侧壁，所述并行半导体本体的每一个具有在源区和漏区之间的沟道部分；单栅电极，邻近和在所述多个本体的每一个的所述沟道区上形成；金属源接触，耦合并延伸在所述多个并行本体的每一个的所述源区之间；金属漏接触，耦合并延伸在所述多个并行本体的每一个的所述漏区之间。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||