| 发明名称 | 半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了半导体存储装置。目的在于：降低整个存储器在半导体基板所占的面积。具有多层次比特线结构的半导体存储装置包括存储单元、和放大通过比特线从存储单元读出的信号的放大电路。单元N阱区域和放大电路N阱区域连续地形成着，在该单元N阱区域中形成上述存储单元的P沟道晶体管，在该放大电路N阱区域中形成上述放大电路的P沟道晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN101207129A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200710160024.3 | 申请日期 | 2007.12.20 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 车田希总;石仓聪;寺野登志夫 |
| 分类号 | H01L27/11(2006.01);G11C11/41(2006.01) | 主分类号 | H01L27/11(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 季向冈 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储装置，具有包括存储单元和放大电路的多层次比特线结构，该放大电路将通过比特线从存储单元读出的信号放大，其特征在于：单元N阱区域和放大电路N阱区域连续地形成着，在该单元N阱区域中形成上述存储单元的P沟道晶体管，在该放大电路N阱区域中形成上述放大电路的P沟道晶体管。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||