| 发明名称 | 利用磁畴壁的移动的信息存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种利用磁畴壁的移动的信息存储装置，该装置包括具有磁畴壁的写磁层。在该写磁层上形成叠置结构。所述叠置结构包括依次叠置的连接磁层和信息存储磁层。信息存储装置还包括用于读取存储在信息存储磁层中的信息的读取器。 | ||
| 申请公布号 | CN101206914A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200710159774.9 | 申请日期 | 2007.12.21 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 林志庆;赵恩亨;左圣熏 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01);H01L27/22(2006.01);H01L43/00(2006.01);H01L43/08(2006.01);H01L43/12(2006.01) | 主分类号 | G11C11/16(2006.01) |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 韩明星;常桂珍 |
| 主权项 | 1.一种信息存储装置，包括：写磁层，具有至少一个磁畴壁；至少一个叠置结构，形成在写磁层上，所述至少一个叠置结构的每个包括依次叠置的至少一个连接磁层和至少一个信息存储磁层；读取器，用于读取存储在信息存储磁层中的信息。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩3洞416 | ||