发明名称 |
复合多模式等离子体表面处理装置 |
摘要 |
复合多模式等离子体表面处理装置,它涉及一种等离子体表面处理装置。针对复合表面处理工艺处理工件,工件需要在两种不同的设备上进行不同的工艺处理,工件在中间环节时暴露在大气中,形成不利的杂质,影响最终膜层性能的问题。磁控溅射靶(4)、真空阴极弧源(14)、金属离子注入源(11)、低能离子源(5)和泵组(13)固装在真空室(1)的外壁上,真空室(1)内固装有射频天线(6),中心电极(9)的上端穿过密封绝缘件(8)装在真空室(1)内,下端与脉冲偏压电源(10)连接,高压靶台(7)固定在中心电极(9)上,真空室上盖(2)与气动装置(12)连接。本发明通过多种粒子产生手段,工件可以获得较厚的膜层,也可以获得膜层种类多样化,提高膜基结合力,实现异型工件的表面处理和多种工艺复合。 |
申请公布号 |
CN101187004A |
申请公布日期 |
2008.05.28 |
申请号 |
CN200710144856.6 |
申请日期 |
2007.12.19 |
申请人 |
哈尔滨工业大学 |
发明人 |
田修波;杨士勤 |
分类号 |
C23C14/00(2006.01);C23C14/35(2006.01);C23C14/48(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/00(2006.01) |
代理机构 |
哈尔滨市松花江专利商标事务所 |
代理人 |
岳泉清 |
主权项 |
1.一种复合多模式等离子体表面处理装置,它包括真空室(1)、真空室上盖(2)、磁控溅射靶(4)、低能离子源(5)、射频天线(6)、高压靶台(7)、密封绝缘件(8)、中心电极(9)、脉冲偏压电源(10)、金属离子注入源(11)、底架(26);其特征在于它还包括气动装置(12)、泵组(13)、真空阴极弧源(14);所述真空阴极弧源(14)由一个直管真空阴极弧源(15)和一个90°弯管真空阴极弧源(16)组成,所述两个磁控溅射靶(4)、一个直管真空阴极弧源(15)、一个90°弯管真空阴极弧源(16)、一个金属离子注入源(11)、一个低能离子源(5)和一组泵组(13)固定装在真空室(1)外壁上的通孔内,真空室(1)内固装有射频天线(6),中心电极(9)的上端穿过密封绝缘件(8)装在真空室(1)内,中心电极(9)的下端与脉冲偏压电源(10)连接,中心电极(9)与密封绝缘件(8)动配合,高压靶台(7)装在真空室(1)内且固定在中心电极(9)上,进气口(3)设置在真空室(1)的底板上,真空室上盖(2)与气动装置(12)连接,气动装置(12)和真空室(1)均固装在底架(26)上,真空室(1)和真空室上盖(2)均带有水套夹层。 |
地址 |
150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |