半导体激光器阵列及其制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体激光器阵列及其制造方法。该半导体激光器阵列包括生长在同一衬底上的多个激光器单元，所述的激光器单元都具有外延层、正电极和负电极，所述的外延层包含有激光器激活部分，任意两个激光器单元的激光器激活部分彼此电隔离，其中所述的多个激光器单元中至少有两个以串联方式相连接，串联的激光器单元通过导电体键合到表面绝缘的载体上，并且任意两个相串联连接的激光器单元处于同一个几何平面上。采用这种结构的半导体激光器阵列可以降低工作电流，并且显著减低电源和电流传输线的尺度和成本。

主权项

1.一种半导体激光器阵列，其包括生长在同一衬底上的多个激光器单元，所述的激光器单元都具有外延层、正电极和负电极，所述的外延层包含有激光器激活部分，任意两个激光器单元的激光器激活部分彼此电隔离，其特征在于：所述的多个激光器单元中至少有两个以串联方式相连接，串联的激光器单元通过导电体键合到表面绝缘的载体上，并且任意两个相串联连接的激光器单元处于同一个几何平面上。