| 发明名称 | 具超浅结面漏极/源极延伸的半导体晶体管元件制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具超浅结面漏极/源极延伸半导体晶体管元件的制作方法，包含有：提供一基底；于该基底上形成一栅极结构，其包含有两侧壁以及一上表面；于该栅极结构的侧壁上形成偏移隔离物；进行离子注入工艺，于该栅极结构两侧的该基底形成超浅结面掺杂区域；于该栅极结构的偏移隔离物上以及该栅极结构的上表面沉积一衬垫层；于该衬垫层上沉积一隔离物层；进行一应力修正注入工艺，改变该隔离物层的应力状态由伸张状态(tensile)改变至较为压缩(compressive)的状态；以及进行一干蚀刻工艺，将该隔离物层蚀刻成隔离物。 | ||
| 申请公布号 | CN100388440C | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN200410070964.X | 申请日期 | 2004.07.21 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 王俞仁;颜英伟;詹书俨 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/335(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种具超浅结面漏极、源极延伸半导体晶体管元件的制作方法，所述具超浅结面漏极、源极延伸半导体晶体管元件的制作方法包含有：提供一基底；于该基底上形成一栅极结构，其包含有两侧壁以及一上表面；于该栅极结构的侧壁上形成偏移隔离物；进行一离子注入工艺，于该栅极结构两侧的该基底形成浅结面掺杂区域；于该栅极结构的偏移隔离物上以及该栅极结构的上表面沉积一衬垫层；于该衬垫层上沉积一隔离物层；进行一应力修正注入工艺，改变该隔离物层的应力状态由伸张状态改变至压缩的状态；以及进行一干蚀刻工艺，将该隔离物层蚀刻成隔离物。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||