| 主权项 |
1.一种方法,包括: 沉积一第一材料之钝化层于一冷或温壁反应器之 内反应器表面,其中该第一材料不与用以形成一第 二材料之一或多个前置物反应;及 使一基板历经该等一或多个前置物,俾沉积该第二 材料之薄膜层于该基板上,其中至少一前置物具一 低蒸蒸气压。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该钝化层与该 薄膜层之该沉积系于一ALD或CVD反应器中施行。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该钝化层之该 沉积系由ALD或CVD技术施行。 4.如申请专利范围第2项之方法,其中该钝化层之该 沉积系沉积Al2O3。 5.如申请专利范围第4项之方法,其中沉积Al2O3形成 来自三甲基铝(TMA)与H2O反应之Al2O3。 6.如申请专利范围第4项之方法,其中沉积Al2O3形成 来自一金属有机Al前置物与一氧化剂反应之Al2O3。 7.如申请专利范围第2项之方法,其中该钝化层之该 沉积系沉积来自一金属有机Al前置物与一氮化媒 介之AlNx,其中x系一数字。 8.如申请专利范围第2项之方法,其中该钝化层之该 沉积系沉积来自一气体或高蒸气压金属前置物与 一氮化或氧化媒介之该钝化层。 9.如申请专利范围第2项之方法,其中该第二材料系 利用ZrCl4与H2O沉积于该基板上之ZrO2。 10.如申请专利范围第2项之方法,其中该第二材料 系利用各金属氯化物与H2O沉积于该基板上之金属 氧化物。 11.如申请专利范围第2项之方法,其中该第二材料 系利用各金属卤化物与H2O沉积于该基板上之金属 氧化物。 12.如申请专利范围第2项之方法,其中该第二材料 系利用各金属卤化物与H2O沉积于该基板上之由Zr 、Hf、Ti、Ta、Al、Si、W、Zn、Mg、Ba、Bi、Pb、La及Sr 之氧化物组成之群形成之金属氧化物。 13.如申请专利范围第2项之方法,其中该第二材料 系利用各金属卤化物与一氧化剂沉积于该基板上 之由Zr、Hf、Ti、Ta、Al、Si、W、Zn、Mg、Ba、Bi、Pb 、La及Sr之氧化物组成之群形成之金属氧化物。 14.如申请专利范围第2项之方法,其中该第二材料 系利用各低蒸气压金属前置物与氧化或氮化媒介 沉积于该基板上之由Zr、Hf、Ti、Ta、Al、Si、W、Zn 、Mg、Ba、Bi、Pb、La及Sr之氧化物组成之群形成之 金属氧化物。 15.如申请专利范围第2项之方法,其中该第二材料 系利用一低蒸气压前置物沉积之包含至少一第一 部件或次层(sub-layer)之合金或奈米片状(nanolaminate) 薄膜结构。 16.一种方法,包括: 沉积一第一材料之钝化层于一冷或温壁反应器之 内反应器表面,其中该第一材料不与用以形成一第 二材料之一或多个前置物反应;及 使一基板历经该等一或多个前置物,俾沉积该第二 材料之薄膜层于该基板上,其中至少一前置物具一 低蒸蒸气压;该钝化层系用以改善该第二材料之均 匀性及重覆性。 17.如申请专利范围第16项之方法,其中该钝化层与 该薄膜层之该沉积系于一ALD或CVD反应器中施行。 18.如申请专利范围第16项之方法,其中该钝化层之 该沉积系由ALD或CVD技术施行。 19.如申请专利范围第17项之方法,其中该钝化层之 该沉积系沉积Al2O3。 20.如申请专利范围第19项之方法,其中沉积Al2O3形 成来自三甲基铝(TMA)与H2O反应之Al2O3。 21.如申请专利范围第19项之方法,其中沉积Al2O3形 成来自一金属有机Al前置物与一氧化剂反应之Al2O3 。 22.如申请专利范围第17项之方法,其中该钝化层之 该沉积系沉积来自一金属有机Al前置物与一氮化 媒介之AlNx,其中x系一数字。 23.如申请专利范围第17项之方法,其中该钝化层之 该沉积系沉积来自一气体或高蒸气压金属前置物 与一氮化或氧化媒介之该钝化层。 24.如申请专利范围第17项之方法,其中该第二材料 系利用ZrCl4与H2O沉积于该基板上之ZrO2。 25.如申请专利范围第17项之方法,其中该第二材料 系利用各金属氯化物与H2O沉积于该基板上之金属 氧化物。 26.如申请专利范围第17项之方法,其中该第二材料 系利用各金属卤化物与H2O沉积于该基板上之金属 氧化物。 27.如申请专利范围第17项之方法,其中该第二材料 系利用各金属卤化物与H2O沉积于该基板上之由Zr 、Hf、Ti、Ta、Al、Si、W、Zn、Mg、Ba、Bi、Pb、La及Sr 之氧化物组成之群形成之金属氧化物。 28.如申请专利范围第17项之方法,其中该第二材料 系利用各金属卤化物与一氧化剂沉积于该基板上 之由Zr、Hf、Ti、Ta、Al、Si、W、Zn、Mg、Ba、Bi、Pb 、La及Sr之氧化物组成之群形成之金属氧化物。 29.如申请专利范围第17项之方法,其中该第二材料 系利用各低蒸气压金属前置物与氧化或氮化媒介 沉积于该基板上之由Zr、Hf、Ti、Ta、Al、Si、W、Zn 、Mg、Ba、Bi、Pb、La及Sr之氧化物组成之群形成之 金属氧化物。 30.如申请专利范围第17项之方法,其中该第二材料 系利用一低蒸气压前置物沉积之包含至少一第一 部件或次层之合金或奈米片状薄膜结构。 图式简单说明: 图1A系先前技艺之沉积制程图,其中在晶圆周围之 薄膜层沉积厚度降低; 图1B系先前技艺之沉积制程图,其中在晶圆周围之 薄膜层沉积厚度在降低前略增; 图1C系先前技艺之沉积制程图,其中在晶圆中央及 周围之薄膜层沉积厚度降低; 图2系沉积制程图,其中于反应器腔体内部施加钝 化层,即得以改善薄膜层沉积厚度均匀性; 图3系采用本发明之钝化技术之ALD反应器系统之一 代表性范例;及 图4系采用本发明之钝化技术之CVD反应器系统之一 代表性范例。 |
