| 主权项 |
1.一种用来测量非填满的图样成型结构的方法,该 图样成型包含每一个特征图样成型具有特征宽度 尺寸,该方法包括: 利用空间周期性雷射强度图样照射该非填满的图 样成型,以刺激表面声波;其中该表面声波具有大 于特征宽度尺寸之一波长; 自产生的表面声波绕射探测雷射光束以形成讯号 光束;以时间函数方式来侦测该讯号光束,以便产 生讯号波形:及 从该讯号波形决定一表面声波相位速度,及基于表 面轮廓对表面声波相位速度的效应来决定该图案 成型结构的至少一项特性。 2.如请求项1之方法,其中在该非填满的图样成型中 包含复数个非填满的沟槽。 3.如请求项1之方法,其中该刺激步骤进一步包括空 间周期性雷射强度图样,其周期范围为1至20微米。 4.如请求项2之方法,其中该非填满的图样成型结构 包含相当于或小于约2m宽的沟渠。 5.如请求项4之方法,其中该非填满的图样成型结构 进一步包括一周期性沟渠阵列。 6.如请求项5之方法,其中该非填满的图样成型结构 进一步包括一周期性线性沟渠阵列。 7.如请求项5之方法,其中该非填满的图样成型结构 进一步包括一二维周期性沟渠阵列。 8.如请求项5之方法,其中该等沟渠系制造于矽基板 上。 9.如请求项4之方法,其中该等沟渠系制造于一薄膜 上。 10.如请求项2之方法,其中至少一项特性包括沟渠 深度。 11.如请求项2之方法,其中至少一项特性包括沟渠 宽度。 12.如请求项1之方法,其中至少一项特性包括该非 填满的图样成型结构之深度轮廓。 13.如请求项1之方法,其中该决定步骤进一步包括 结合多重声波长度处的测量结果来决定该非填满 的图样成型结构的多重参数。 14.如请求项6之方法,其中该决定步骤进一步包括 沿着且横跨该沟渠结构的测量来同时决定宽度及 深度。 15.如请求项1之方法,其中该决定步骤进一步包括 结合该非填满的图样成型区域内外的测量,用以将 由该表面轮廓对表面声波速度所造成的效应与其 他效应(例如膜厚度)分离。 16.如请求项1之方法,其中该决定步骤利用基于该 结构有效弹性的理论模型。 17.如请求项1之方法,其中该决定步骤利用基于经 验性校正的模型。 图式简单说明: 图1及图1A系显示依据先前技术方法使用脉冲受激 热散射来探测积体电路上的薄膜层结构; 图2A系显示矽基板上之图样成型膜; 图2B系显示图样成型之矽基板; 图3系显示所计算之SAW速度与矽质内沟渠深度之相 依性的矩阵; 图4系显示所计算之SAW速度与一矽基板上沟渠深度 之相依性的矩阵,该图系针对1 m厚的热氧化物膜 ; 图5显示一包含一矽基板、一刻蚀于SiO2膜中之沟 渠阵列及一金属膜涂层的结构; 图6,包含图6A、6B、6C、6D、6E及6F,显示产生于图5样 本之图样成型区域外之讯号波形,其平行于一沟渠 阵列之该等沟渠且垂直于该等沟渠; 图7显示之表格列出从图6显示之讯号波形中所获 得的SAW速度値。 |
