| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可将二极管的pn结的耐压特性的变化抑制得较小并能够进行最佳的载流子寿命的控制的半导体装置。在半导体装置(1)的n型半导体衬底(2)的上主面附近，在低浓度n型杂质层(3)与p型扩散区域(5)的界面上形成有pn结。在该半导体装置(1)的上主面上载置由吸收体构成的掩模(15)并进行电子束照射，然后进行热处理。其结果是，晶格缺陷密度的峰值为n型半导体衬底(2)的上主面附近，晶格缺陷密度以朝向下主面递减的方式分布。由此，能够得到将二极管的pn结的耐压特性的变化抑制得较小并能够进行最佳的载流子寿命的控制的半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN101159285A | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
| 申请号 | CN200710110267.6 | 申请日期 | 2007.06.08 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 井上雅规 |
| 分类号 | H01L29/32(2006.01);H01L21/30(2006.01);H01L21/322(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L21/268(2006.01) | 主分类号 | H01L29/32(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，在半导体衬底的内部具有pn结，设有与通过所述pn结注入的少数载流子复合的晶格缺陷，其特征在于：所述结晶缺陷从所述半导体衬底的一个主面侧朝向另一个主面侧递减地分布。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||