| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 通过在下电极(11)和/或电容器电介质上形成导电的平滑层(16，19)，形成由于几何增强电场下降而具有改进的性能和平滑的电极的MIM电容器。在一个实施例中，在由难熔氮化物形成的第一盖层(14)上形成包括难熔金属或富难熔金属氮化物的第一层(16)。此外，在电容器电介质上可形成包括难熔金属(18)或富难熔金属氮化物的第二层(19)。导电的平滑层(16，19)还可用于其它半导体器件，例如栅极和栅极电介质之间的晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN101160663A | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
| 申请号 | CN200480023865.4 | 申请日期 | 2004.08.31 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 安托尼·香西奥;马克·D·格里斯沃尔德;阿穆德哈·R·伊鲁达亚姆;珍妮弗·H·莫里松 |
| 分类号 | H01L29/00(2006.01);H01L29/94(2006.01);H01L29/76(2006.01) | 主分类号 | H01L29/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;黄启行 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的第一电极；在第一电极上形成的第一导电平滑层，其中第一导电平滑层具有比第一电极更小的表面粗糙度；在第一导电平滑层上形成的电介质层；和在电介质层上形成的第二电极。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||