| 发明名称 | 半导体器件焊盘形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件焊盘形成方法，包括：在半导体器件衬底上形成导电层；在所述导电层上刻蚀出焊盘图形；对所述导电层表面进行晶格缺陷检测；利用稀释过氧化硫处理所述导电层表面晶格缺陷；形成焊盘。通过使用稀释过氧化硫这种酸性含水溶液消除焊盘表面晶格缺陷，可在应用有机溶剂去除法去除焊盘表面的晶格缺陷的同时，减少有机溶剂的处理时间，进而提高产能。 | ||
| 申请公布号 | CN101154603A | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200610116850.3 | 申请日期 | 2006.09.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 宋铭峰;裴昌炜;张水友 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/66(2006.01);H01L21/321(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件焊盘形成方法，包括：在半导体器件衬底上形成导电层；在所述导电层上刻蚀出焊盘图形；对所述导电层表面进行晶格缺陷检测；利用稀释过氧化硫处理具有晶格缺陷的所述导电层表面；对处理后的所述导电层表面重复进行晶格缺陷检测；最终形成无表面晶格缺陷的焊盘。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||