| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括一层间绝缘膜(18)，其形成在衬底(10)上；一熔丝(26)，其埋置在层间绝缘膜(18)中以及一覆盖膜(30)，其形成在层间绝缘膜(18)上并且其中形成有向下至熔丝(26)的开口。形成的层间绝缘膜(18)与开口中的熔丝(26)的侧壁接触，由此熔丝(26)由层间绝缘膜(18)支撑，从而防止图形倒塌和图形散开。可以防止熔丝的大范围散开，并且可以小间距设置熔丝。 | ||
| 申请公布号 | CN100378988C | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200410054930.1 | 申请日期 | 2004.07.21 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 佐藤元伸;泽田丰治;大冢敏志 |
| 分类号 | H01L23/525(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L23/525(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 经志强;臧建明 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：一层间绝缘膜，形成在半导体衬底上；一熔丝，埋置在该层间绝缘膜中；及一覆盖膜，形成在该层间绝缘膜上并具有下至该熔丝的一开口，在该开口中，形成的该层间绝缘膜与该熔丝的侧壁接触，在该开口中该熔丝的上表面与该层间绝缘膜的上表面彼此齐平。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||