发明名称 Method of selective etch by using hard mask and method of forming isolation of memory device by using the same
摘要
申请公布号 KR100811266(B1) 申请公布日期 2008.03.07
申请号 KR20060084390 申请日期 2006.09.01
申请人 发明人
分类号 H01L21/76;H01L21/302 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
主权项
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