发明名称 薄膜电晶体及主动矩阵型显示装置及其制造方法
摘要 形成贯通闸极绝缘膜(5)之第1接触孔(6),并于闸极绝缘膜(5)上形成闸极电极(7g),并同时于第于第1接触孔内形成第1接触部(7s、7d)。形成贯通层间绝缘(8)膜之第2接触孔(9),并于第2接触孔(9)内,形成第2接触部(10)。形成贯通平坦化膜(26)之第3接触孔(11),并于第3接触孔(11)内形成电极(40)。为电性连接电极(40)与半导体膜(3)而利用复数个接触孔,而各接触孔可缩小长宽比,并实现良率提升、接触件之上面与底面之面积差降低所带来之高积体化等。
申请公布号 TW200812090 申请公布日期 2008.03.01
申请号 TW096137208 申请日期 2002.05.17
申请人 三洋电机股份有限公司 发明人 米田清;山田努;汤田真次;铃木浩司
分类号 H01L29/786(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 日本