MIM电容结构及其形成方法

摘要

本发明为观于改良电容，其减少边缘缺陷(edge defect)且避免屈服破坏(yield failure)。本发明第一实施例包括一保护层，其邻近一导电层与一绝缘体之一界面，而本发明第二实施例包括一保护层，其位于一导电层上之一绝缘体上。