发明名称 |
获取和集成纳米线的系统和方法 |
摘要 |
本发明涉及获取、集成和利用纳米材料的方法,特别是细长纳米材料的方法。本发明提供获取纳米线的方法,该方法包括:选择性蚀刻在纳米线衬底上放置的牺牲层以除去纳米线。本发明还提供将纳米线集成为电子器件的方法,该方法包括:与纳米线的流体悬浮体接触放置圆柱体的外表面并且滚动纳米线涂布的圆柱体以将纳米线沉积在表面上。还提供了使用喷墨印刷机或孔沉积纳米线以排列纳米线的方法。本发明的其它方面提供防止纳米线基晶体管中栅极短路的方法。还提供用于获取和集成纳米线的其它方法。 |
申请公布号 |
CN101124659A |
申请公布日期 |
2008.02.13 |
申请号 |
CN200580029912.0 |
申请日期 |
2005.04.29 |
申请人 |
纳米系统公司 |
发明人 |
L·T·罗马诺;陈建;段镶锋;R·S·杜布罗;S·A·恩培多克勒;J·L·戈德曼;J·M·汉密尔顿;D·L·希尔德;F·莱米;牛春明;潘尧令;G·蓬蒂斯;V·萨布;E·C·谢尔;D·P·斯顿博;J·A·怀特福德 |
分类号 |
H01L21/20(2006.01);H01L29/06(2006.01);H01L21/335(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/20(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
王旭 |
主权项 |
1.一种获取纳米线的方法,该方法包括:提供其上沉积有第一牺牲层的第一衬底,所述的第一牺牲层相对于第一半导体材料可以被选择性溶解;在第一牺牲层上生长纳米线群,所述的纳米线包含第一半导体材料;并且在不溶解纳米线的情况下选择性溶解牺牲层,以从第一衬底上释放纳米线群。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |