| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该装置包括内插板；多个器件，堆叠于该内插板之上；冷却器，设置在至少一个器件内，该冷却器包括冷却材料通道；以及，连接电极，设置在这些器件之间，用于将上层器件内的信号电极与下层器件内的信号电极连接起来。根据本发明的半导体装置及其制造方法，热量可以很容易地从SiP半导体装置散发出来。 | ||
| 申请公布号 | CN101123249A | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
| 申请号 | CN200710140899.7 | 申请日期 | 2007.08.10 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 韩载元 |
| 分类号 | H01L25/00(2006.01);H01L25/065(2006.01);H01L25/18(2006.01);H01L23/34(2006.01);H01L23/488(2006.01);H01L21/50(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L25/00(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种装置，包括：内插板；多个器件，所述多个器件堆叠于所述内插板之上；冷却器，在所述多个器件中的至少一个器件内设有所述冷却器，所述冷却器包括冷却材料通道；以及连接电极，设置在各所述多个器件之间，用于将上层器件内的信号电极与下层器件内的信号电极连接起来。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||