| 发明名称 | 存储器件分离栅极的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种存储器件分离栅极的制造方法，包括：提供一具有复数沟槽和凸棱的半导体衬底；在所述沟槽内及凸棱上形成第一覆盖层；刻蚀所述第一覆盖层使其厚度介于所述沟槽深度的十分之一至二分之一之间；在所述沟槽侧壁、第一覆盖层和凸棱上形成第二覆盖层；刻蚀所述第二覆盖层至沟槽侧壁及凸棱上的第二覆盖层全部被移除。本发明避免在沟槽中填充的第二覆盖层上形成空洞。 | ||
| 申请公布号 | CN101106109A | 申请公布日期 | 2008.01.16 |
| 申请号 | CN200610028779.3 | 申请日期 | 2006.07.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 洪中山;金贤在;季华 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种存储器件分离栅极的制造方法，其特征在于包括：提供一具有复数沟槽和凸棱的半导体衬底；在所述沟槽内及凸棱上形成第一覆盖层；刻蚀所述第一覆盖层使其厚度介于所述沟槽深度的十分之一至二分之一之间；在所述沟槽侧壁、第一覆盖层和凸棱上形成第二覆盖层；刻蚀所述第二覆盖层至沟槽侧壁及凸棱上的第二覆盖层全部被移除。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||