| 发明名称 | 一种用于锑化钴基热电元件的合金电极及元件制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明目的在于提供一种用于锑化钴基热电元件的合金电极及热电元件的制备方法。其特征在于所设计的合金电极为Cu-W合金，W的质量百分含量为20％-30％，余量为铜和少量不可避免的杂质，优化设计后的Cu<SUB>75</SUB>W<SUB>25</SUB>电极热膨胀系数(CTE)与CoSb<SUB>3</SUB>热电材料具有良好的热匹配，最大差异仅为9.8％。其元件制备是采用粒度在20-50μm的金属Ti的过渡层，利用放电等离子烧结(SPS)方法实现Cu-W合金电极和热电材料的连接。由于铜钨合金电导率和热导率都非常高，且与CoSb<SUB>3</SUB>热电材料热匹配良好，使得界面结合非常稳定，且接合面无明显的电阻跃迁，制备工艺简单。 | ||
| 申请公布号 | CN101101955A | 申请公布日期 | 2008.01.09 |
| 申请号 | CN200710043389.8 | 申请日期 | 2007.07.03 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 陈立东;赵德刚;李小亚;赵雪盈;周燕飞;柏胜强;夏绪贵 |
| 分类号 | H01L35/20(2006.01);H01L35/08(2006.01);H01L35/34(2006.01) | 主分类号 | H01L35/20(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 潘振甦 |
| 主权项 | 1、一种用于锑化钴基热电元件的合金电极，其特征在于所述的合金电极为Cu-W合金，其中W的质量百分含量为20％-30％，余量为铜和少量不可避免的杂质。 | ||
| 地址 | 200050上海市长宁区定西路1295号 | ||