| 发明名称 | 半导体集成电路及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的课题是，实现防止形成接触的层及绝缘膜剥落，防止LSI遭到破坏。为此，具备在纵向和横向排列敷设多个接触的接触阵列。该接触阵列中的纵向和横向双方的接触敷设间隔比由制造工艺决定的接触敷设间隔宽。由此，可将在接触阵列中所形成的接触的个数减少至由工艺决定的每单位面积上可敷设的个数或比其少的个数，从而可实现防止形成接触的层及绝缘膜剥落，防止LSI遭到破坏。 | ||
| 申请公布号 | CN100359693C | 申请公布日期 | 2008.01.02 |
| 申请号 | CN200310102416.6 | 申请日期 | 2003.10.17 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 藤野健哉;木村文浩 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路，它具备在纵向和横向排列敷设多个接触的接触阵列，其特征在于：上述接触阵列中的纵向和横向的某一方的接触敷设间隔比由制造工艺决定的接触敷设间隔宽。 | ||
| 地址 | 日本大阪府门真市 | ||