发明名称 |
氮化镓系发光器件 |
摘要 |
本发明是使用了GaN系半导体的发光器件。发光器件具有n型包层(124)、由n型第1势垒层(126)、阱层(128)和第2势垒层(130)构成的有源层(129)、p型阻挡层(132)、p型包层(134)。在p型阻挡层(132)的带隙能量Egb、第2势垒层(130)的带隙能量Eg2、第1势垒层(126)的带隙能量Eg1、n型及p型包层(124)、(134)的带隙能量Egc方面,通过使Egb>Eg2>Eg1≥Egc,能够有效地封闭载流子,增大发光强度。 |
申请公布号 |
CN100359707C |
申请公布日期 |
2008.01.02 |
申请号 |
CN200480000484.4 |
申请日期 |
2004.04.16 |
申请人 |
氮化物半导体株式会社 |
发明人 |
佐藤寿朗;和田直树;酒井士郎;木村真大 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01);H01S5/343(2006.01) |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
刘宗杰;叶恺东 |
主权项 |
1.一种氮化镓系发光器件,它具有:衬底;在上述衬底上形成的第1导电型的包层;在上述包层上形成的有源层;以及在上述有源层上形成的第2导电型包层,上述有源层具有由氮化镓系化合物半导体层构成的势垒层及阱层,其特征在于:上述有源层的上述势垒层具有被在上述第1导电型的包层侧形成的第1势垒层及上述阱层夹持的第2势垒层;在上述有源层与上述第2导电型的包层之间具有第2导电型的载流子阻挡层;上述载流子阻挡层的带隙Egb、第2势垒层的带隙Eg2、第1势垒层的带隙Eg1、包层的带隙Egc满足Egb>Eg2>Eg1≥Egc。 |
地址 |
日本德岛 |