可改良氧化矽层完整性之制程

摘要

本发明系揭露一种可改良氧化矽层完整性之制程。DPN（去耦电浆氮化）系使用于改良超薄闸极氧化层的耐受力，此在纯氦的退火后进行，以移除氧化物结构上的缺陷，然而在这条下的退火已发现会造成元件电性效能的退化，此问题已由退火而被克服，此的造成一抵抗硼污染的氧化层，而不会受到任何其电性特性的损失。