半导体元件及其制造方法

摘要

一种半导体元件的制造方法。是先于一基底上依序形成闸介电层、多晶矽层与一图案化顶盖层，再以图案化顶盖层为罩幕，图案他多晶矽层以形成一多晶矽闸极。接着，于多晶矽闸极两侧的基底中形成数个LDD区并使LDD区之间的基底成为一通道区。然后，于多晶矽闸极的侧壁上形成间隙壁，再于间隙壁的外侧基底中形成一源极与汲极。之后陆续去除顶盖层及间隙壁。尔后再进行金属矽化制程，将多晶矽闸极完全转变为矽化金属闸极，同时于源极与汲极表面形成一矽化金属层。