薄膜晶体管及其制作方法

摘要

一种薄膜晶体管及其制作方法，包括：一第一有源层形成于一第一薄膜晶体管区域上，包含有一沟道区域、一轻掺杂区域以及一重掺杂区域。一第一栅极绝缘层是形成于该第一有源层上，包含有一区域以及一遮蔽区域，该遮蔽区域是覆盖该第一有源层的轻掺杂区域。一第二有源层是形成于一第二薄膜晶体管区域上，包含有一沟道区域、一轻掺杂区域以及一重掺杂区域。一第二栅极绝缘层是形成于该第二有源层上，包含有一区域以及一遮蔽区域，该遮蔽区域是覆盖该第二有源层的轻掺杂区域。该第一栅极绝缘层的遮蔽区域的横向长度不等于该第二栅极绝缘层的遮蔽区域的横向长度。该第一有源层的轻掺杂区域的横向长度不等于该第二有源层的轻掺杂区域的横向长度。

主权项

1.一种薄膜晶体管，其特征在于所述薄膜晶体管包括有：一基底，其包含有一第一薄膜晶体管区域以及一第二薄膜晶体管区域；一第一有源层，是形成于该基底的该第一薄膜晶体管区域上，且包含有一沟道区域、两个轻掺杂区域以及两个重掺杂区域，其中每个轻掺杂区域是形成于该沟道区域以及一个重掺杂区域之间；一第一栅极绝缘层，是形成于该第一有源层上，且包含有一中央区域以及两个遮蔽区域，该中央区域是覆盖该第一有源层的沟道区域，且每个遮蔽区域是覆盖该第一有源层的一个轻掺杂区域；一第一栅极层，是形成于该第一栅极绝缘层上，且覆盖该第一栅极绝缘层的中央区域；一第二有源层，是形成于该基底的该第二薄膜晶体管区域上，且包含有一沟道区域、两个轻掺杂区域以及两个重掺杂区域，其中每个轻掺杂区域是形成于该沟道区域以及一个重掺杂区域之间；一第二栅极绝缘层，是形成于该第二有源层上，且包含有一中央区域以及两个遮蔽区域，该中央区域是覆盖该第二有源层的沟道区域，且每个遮蔽区域是覆盖该第二有源层的一个轻掺杂区域；一第二栅极层，是形成于该第二栅极绝缘层上，且覆盖该第二栅极绝缘层的中央区域；其中，该第一栅极绝缘层的遮蔽区域的横向长度大于该第二栅极绝缘层的遮蔽区域的横向长度；以及其中，该第一有源层的轻掺杂区域的横向长度大于该第二有源层的轻掺杂区域的横向长度。