发明名称 |
钽氮化物膜的形成方法 |
摘要 |
本发明通过在真空室内导入含有在钽元素(Ta)的周围配位N=(R,R′)(R及R′表示碳原子数1-6的烷基,各自可以是相同的基团,也可以是不同的基团)的配合物的原料气体,使其在基板上吸附后,导入含有氧原子的气体,生成TaO<SUB>x</SUB>N<SUB>y</SUB>(R,R′)<SUB>z</SUB>,然后导入活性化的反应气体,将Ta上键合的氧还原,并且,将N上键合的R(R′)基切断除去,形成富含钽的钽氮化物膜。由此,可提供具有C、N含量低、并且Ta/N组成比高,并且作为确保和Cu膜的密合性的阻挡膜有用的低电阻的钽氮化物膜。另外,对得到的膜中通过溅射打入钽粒子,使其进一步富含钽。 |
申请公布号 |
CN101091000A |
申请公布日期 |
2007.12.19 |
申请号 |
CN200680001458.2 |
申请日期 |
2006.03.03 |
申请人 |
株式会社爱发科 |
发明人 |
五户成史;丰田聪;牛川治宪;近藤智保;中村久三 |
分类号 |
C23C16/34(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/285(2006.01);H01L23/52(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/34(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王健 |
主权项 |
1.钽氮化物膜的形成方法,其特征在于,在真空室内,导入含有在钽元素(Ta)的周围配位N=(R,R′)(R及R′表示碳原子数1-6的烷基,各自可以是相同的基团,也可以是不同的基团)的配合物的原料气体以及含氧原子的气体,在基板上形成含有TaOxNy(R,R′)z化合物的一个原子层或数个原子层的表面吸附膜,然后导入从含H原子的气体生成的自由基,将与上述生成化合物中的Ta键合的氧还原,并且,将与N键合的R(R′)基切断除去,形成富含钽的钽氮化物膜。 |
地址 |
日本神奈川 |