| 摘要 |
一种半导体装置(10)及方法具有具邻近储存槽开口(44、46、48)之互连(38、40、42)。一介电层(70)形成为一或多个互连层(18)之最顶部之部分。形成于介电层中之开口(30)导致该介电层沿该等开口之侧壁的部分之改质的部分(32)。以导电材料，诸如金属，填充该等开口。移除该介电层(20)之一曝露部分(22)以形成在该介电层上延伸之该导电材料的突出衬垫(38、40、42)。藉由移除该介电层之该等改质的部分而邻近该等突出衬垫形成储存槽开口。当该半导体装置与另一装置(100)(一晶圆或一晶粒)接合时，横向流动之金属在该等储存槽开口中聚集且确保该半导体装置与该另一装置之间产生一可靠电连接。 |
