发明名称 半导体装置,该半导体装置的制造方法,及该半导体装置的安装方法
摘要 一种半导体装置包含:一半导体基板,系形成有多数功能元件者;及一多层互连层,系设置在该半导体基板上方。该多层互连层包括一互相连接前述多数功能元件之配线层且包括一层间绝缘层,其中形成有该配线层之区域被一沟槽形成部环绕,且该沟槽形成部穿过该多层互连层。又,该沟槽形成部填充有一有机绝缘材料。
申请公布号 TW200746323 申请公布日期 2007.12.16
申请号 TW095141873 申请日期 2006.11.13
申请人 富士通股份有限公司 发明人 埜本隆司;松木浩久
分类号 H01L21/56(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L21/50(2006.01) 主分类号 H01L21/56(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本
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