| 主权项 |
1.一种改质陶瓷粉末原料之制造方法,包括: 提供一种淤浆,该淤浆包括陶瓷粉末原料、可热分 解为含金属的电特性改质剂之第一种有机金属化 合物、可热分解为含金属的烧结助剂之第二种有 机金属化合物、及可溶解第一和第二种有机金属 化合物之有机溶剂; 从淤浆中除去有机溶剂获得基剂粉末,该基剂粉末 包括以第一和第二种有机金属化合物涂覆的陶瓷 粉末原料颗粒;及 在高于第一种有机金属化合物分解温度、低于第 二种有机金属化合物分解温度的温度下热处理基 剂粉末; 其中第一种有机金属化合物系选自金属烷醇盐、 金属乙醯丙酮酸盐及金属皂之至少一种化合物; 第二种有机金属化合物为矽溶胶、金属乙酸盐及 多元醇之复合金属烷醇盐反应产物;且 陶瓷粉末原料为介电陶瓷粉末原料。 2.如申请专利范围第1项之改质陶瓷粉末原料之制 造方法,其中淤浆又包括表面活性剂。 3.如申请专利范围第1项之改质陶瓷粉末原料之制 造方法,其中该陶瓷粉末包括BaxTiO2+x,其中1.00≦x≦ 1.03。 4.如申请专利范围第3项之改质陶瓷粉末原料之制 造方法,其中陶瓷粉末晶体之c轴/a轴比例为约1.003 至1.01。 5.如申请专利范围第4项之改质陶瓷粉末原料之制 造方法,其中该陶瓷粉末之平均粒径约50至200 nm及 最大粒径为约300 nm或更小。 6.一种单片陶瓷电子元件,包括一积层物,该积层物 包括多个介电陶瓷层和多个沿着介电陶瓷层间的 介面延伸的内部电极,该内部电极系放置使得由介 电陶瓷层所分开的两个相邻内部电极之间形成电 容, 其中介电陶瓷层包括如申请专利范围第1项之改质 陶瓷粉末原料之制造方法烧制所得之介电陶瓷。 7.如申请专利范围第6项之单片陶瓷电子元件,其中 内部电极包括贱金属。 8.如申请专利范围第6项之单片陶瓷电子元件,其中 贱金属为镍或镍合金。 9.如申请专利范围第6项之单片陶瓷电子元件,其中 排列在两个相邻内部电极间之介电陶瓷层厚度为1 微米或更薄。 图式简单说明: 图1为本发明一具体例之单片陶瓷电容器截面图; 图2为显示本发明一具体例之有机复合烷醇盐的热 分解温度之TG-DTA图;及 图3为显示本发明一具体例之含辛酸盐金属皂之混 合溶液热分解温度之TG-DTA图。 |
