| 发明名称 | 一种无TiC杂质相的碳化硅钛陶瓷粉体的合成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低成本无TiC杂质相的碳化硅钛陶瓷粉体的常压合成方法，以Ti粉、Si粉和TiC粉为原料，Al为反应助剂，按Ti∶TiC∶Si∶Al＝1∶1∶(0.9～1)∶(0.1～0.2)的摩尔比配料，干混5～10小时后，在30～50MPa压力下压制成块，将压块置于高温炉中，氩气或真空气氛下，以15～50℃/min的升温速率将炉温升至1450～1550℃，保温时间为5～15min，制得无TiC杂质相的Ti<SUB>3</SUB>SiC<SUB>2</SUB>粉体。该方法具有：合成Ti<SUB>3</SUB>SiC<SUB>2</SUB>粉体时间短，纯度高，成本低，所用设备简单，工艺参数稳定，适用于规模化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN101066869A | 申请公布日期 | 2007.11.07 |
| 申请号 | CN200710118878.5 | 申请日期 | 2007.06.13 |
| 申请人 | 北京交通大学 | 发明人 | 李世波;向卫华;陈新华;翟洪祥;周洋 |
| 分类号 | C04B35/56(2006.01);C04B35/622(2006.01);C04B35/65(2006.01) | 主分类号 | C04B35/56(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市商泰律师事务所 | 代理人 | 吴克宇;毛燕生 |
| 主权项 | 1.一种无TiC杂质相的碳化硅钛陶瓷粉体的合成方法，其特征在于：(1)以Ti粉、Si粉和TiC粉为原料，Al为反应助剂，按Ti∶TiC∶Si∶Al＝1∶1∶0.9或1∶0.1～0.2的摩尔比配料；(2)将上述配料和玛瑙球放入球磨罐中，在球磨机上干混5～10小时；(3)将上述混合均匀的配料在30～50MPa压力下压制成块；(4)将上述压块置于高温炉中，在氩气或真空气氛下，以15～50℃/min的升温速率将炉温升至1450～1550℃，保温时间为5～15min，制得无TiC杂质相的Ti3SiC2粉体。 | ||
| 地址 | 100044北京市西直门外上园村3号 | ||