| 主权项 |
1.一种操作方法,系应用于非挥发性之一第一记忆 体中,其中该第一记忆体系包括至少一字元线、位 于该字元线上之至少一第一位元组与至少一第二 位元组、以及连接该字元线之一字元线驱动器,该 操作方法至少包括: 读取该第二位元组之一资料,并储存于一第二记忆 体中; 经由该字元线驱动器,提供一高电压于该字元线上 ,藉以抹除该第一位元组与该第二位元组之资料; 以及 读取位于该第二记忆体中之该资料,并重新写入该 第一记忆体中该字元线的该第二位元组中。 2.如申请专利范围第1项所述之操作方法,其中上述 之第二记忆体系由非挥发性记忆体与挥发性记忆 体二者择一。 3.如申请专利范围第1项所述之操作方法,其中上述 之第一记忆体系为可电除且可程式唯读记忆体( EEPROM)。 4.如申请专利范围第1项所述之操作方法,其中上述 之第二记忆体系为静态随机储存记忆体(SRAM)。 5.如申请专利范围第1项所述之操作方法,其中上述 之第二记忆体系包含已程式与未程式之部分。 6.一种记忆体之资料抹除方法,至少包括: 提供一第一记忆体,其中该第一记忆体至少包括: 至少一字元线; 具有一第一资料之至少一第一位元组位于该字元 线上; 具有一第二资料之至少一第二位元组位于该字元 线上;以及 连接该字元线之一字元线驱动器, 读取该第一记忆体中该第二位元组之该第二资料, 并储存于一第二记忆体中; 经由该字元线驱动器,提供一高电压于该字元线上 ,藉以抹除该第一记忆体中该第一位元组之该第一 资料与该第二位元组之该第二资料;以及 续取储存于该第二记忆体中之该第二资料,并重新 写入该第一记忆体之该字元线上的该第二位元组 中。 7.如申请专利范围第6项所述之记忆体之资料抹除 方法,其中上述之第二记忆体系由非挥发性记忆体 与挥发性记忆体二者择一。 8.如申请专利范围第6项所述之记忆体之资料抹除 方法,其中上述之第一记忆体系为可电除且可程式 唯读记忆体(EEPROM)。 9.如申请专利范围第6项所述之记忆体之资料抹除 方法,其中上述之第二记忆体系为静态随机储存记 忆体。 10.如申请专利范围第6项所述之记忆体之资料抹除 方法,其中上述之第一记忆体之字元线上更包括不 具资料之至少一第三位元组。 图式简单说明: 第1图所绘示为一般可电除且可程式唯读记忆体( EEPROM)的结构上视示意图; 第2图所绘示为一般快闪记忆体的结构上视示意图 ;以及 第3图所绘示为根据本发明一实施例,应用于非挥 发性记忆体中以位元组为抹除单位之操作方法的 流程示意图。 |
