| 发明名称 | 存储器件及其操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种存储器件及其操作方法。示范性方法涉及对存储器件进行存储操作的方法，且可以包括在存储器件的编程操作期间对存储器件施加负偏压且在存储器件的擦除操作期间对存储器件施加正偏压。示范性存储器件包括基板和形成于基板上的栅极结构，该栅极结构表现出在负偏压下比在正偏压下更快的平带电压偏移，该栅极结构在存储器件的编程期间接收负偏压，且在存储器件的擦除操作期间接收正偏压。 | ||
| 申请公布号 | CN101034590A | 申请公布日期 | 2007.09.12 |
| 申请号 | CN200710087705.1 | 申请日期 | 2007.03.12 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴祥珍;朴永洙;申尚旻;车映官 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L29/792(2006.01) | 主分类号 | G11C16/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 1、一种对存储器件进行存储操作的方法，包括：在该存储器件的编程操作期间对该存储器件施加负偏压；以及在该存储器件的擦除操作期间对该存储器件施加正偏压。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||